薩里大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種單步程序，使單晶硅能承受比以往更多的壓力。這一發(fā)現(xiàn)正在申請(qǐng)專(zhuān)利，可能對(duì)硅光子學(xué)的未來(lái)發(fā)展至關(guān)重要。硅光子學(xué)是物聯(lián)網(wǎng)背后技術(shù)的基礎(chǔ)，目前受制于缺乏實(shí)惠、高效和易于集成的光發(fā)射器。

將光子學(xué)完全轉(zhuǎn)移到硅上一直是一個(gè)長(zhǎng)期的目標(biāo)，雖然科學(xué)家在開(kāi)發(fā)無(wú)源硅光子設(shè)備方面已經(jīng)取得了許多成功，但使用周期表同一組元素的CMOS兼容激光器直到現(xiàn)在仍未實(shí)現(xiàn)。研究團(tuán)隊(duì)正在利用他們的創(chuàng)新推進(jìn)這項(xiàng)工作。

發(fā)表在《物理評(píng)論材料》期刊上的一篇新論文描述了該團(tuán)隊(duì)如何通過(guò)離子植入懸浮膜中產(chǎn)生應(yīng)變，其方式類(lèi)似于收緊一個(gè)鼓皮。研究發(fā)現(xiàn)，整個(gè)過(guò)程可以產(chǎn)生高達(dá)3.1%的雙軸應(yīng)變和高達(dá)8.5%的單軸應(yīng)變。同時(shí)，研究員指出，通過(guò)改變植入物種類(lèi)和利用底層晶體方向可以實(shí)現(xiàn)更大應(yīng)變的途徑。該方法遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了以前使用方法的記錄。

這種新方法也是創(chuàng)造近紅外傳感器的重要一步，它可以為開(kāi)發(fā)更復(fù)雜的智能手機(jī)鋪平道路——為它們安裝火災(zāi)警報(bào)器和一氧化碳傳感器。

科學(xué)家表示：“這項(xiàng)新技術(shù)有望對(duì)光子學(xué)領(lǐng)域產(chǎn)生高度顛覆性的影響，我們期待繼續(xù)開(kāi)發(fā)基于這項(xiàng)技術(shù)的新設(shè)備。”

關(guān)鍵詞： 單晶硅 產(chǎn)生新應(yīng)變 水平 薩里大學(xué)